摘要
柔軟な薄膜トランジスタの電気的性能を効果的に向上させるために、常温条件でポリイミド（PI）基板上に高誘電率材料であるHfO2とTa2O5の2種類を組み合わせた積層構造を単層のTa2O5ゲート絶縁膜の代わりに使用した。薄膜は磁気スパッタ法で作製し、積層ゲート絶縁体構造におけるTa2O5層が異なるスパッタ時間および酸素-アルゴン比条件でのデバイスの電気的性能に及ぼす影響を調査した。また、積層HfO2/Ta2O5ゲート絶縁体デバイスと単層Ta2O5ゲート絶縁体デバイスの比較も行った。結果から、スパッタ時間1時間、酸素-アルゴン比10:90の条件でTa2O5ゲート絶縁膜層が最良の電気的性能を示すことが分かった。積層ゲート絶縁体構造の導入により、デバイスの電気的性能が大幅に向上し、電流スイッチ比は1.27×10^6、しきい値電圧は9.1 V、サブスレッショルドスイングは0.54 V/decade、キャリア移動度は7.03 cm²/(V·s)である。
关键词
PI;積層ゲート絶縁体;磁気スパッタ法;スパッタ時間;酸素-アルゴン比
以上内容由讯飞翻译自动生成，翻译内容仅供参考。对于因使用本网站翻译内容产生的相关后果，本网站不承担任何商业和法律责任。
The above content is generated by Large Model Translation. The translated content is for reference only. We do not assume any commercial or legal responsibilty for any consequences arising from the use of our website