高い量子効率を持つシリコンベースの光源を得るために、ナノ秒パルスレーザーを用いて単結晶シリコン基板上にミクロンサイズの円形穴キャビティアレイを作製し、高温アニール処理後の試料の性能を研究した。キャビティ内部に形成された量子ドットは、波長約710 nm付近に強い光誘起蛍光ピークを示す。試料を1000 ℃で高温アニール処理し、アニール時間を制御してアニール前後の励起光パワー変化に伴う光誘起蛍光スペクトルを比較検討した。その結果、自発放射および誘導放射の変化傾向を観察できた。また、アニール20分後のキャビティ内の異なる位置で光誘起蛍光強度の差異を測定し、キャビティの縁での光誘起蛍光が最も強いことを発見した。これはキャビティ縁に大量の量子ドット発光が分布していることに関連している可能性がある。最後に、標準的なLED校正法を用いてキャビティ内の最大光誘起蛍光外部量子効率（PL-EQE）を測定した。検出結果は、アニール後にキャビティ内の外部量子効率が9.29 %に達することを示した。

シリコン量子ドット;光誘起蛍光;高温アニール;外部量子効率