液晶パネルの圧迫漏れ光の最大臨界力値および圧迫耐性を向上させるために、液晶パネルの圧迫漏れ光のメカニズムを分析し、企業の実際の生産と組み合わせて実験計画法（DOE）により主要因子を選定した。DOEの結果、圧迫漏れ光の主要因子は柱状スペーサー（Photo spacer、PS）サイズ、ブラックマトリックス（Black Matrix、BM）幅、PSの位置、および平坦化層（PLN）厚さである。実際の生産過程で圧迫漏れ光の改善設計実験を行い、結果は以下の通りである。PSのサイズを増加させると、パネルの耐圧性が32.69%有効に向上し、サイズ増加により弾性回復率が4.4%増加し、圧迫漏れ光の発生を効果的に低減できる。BM幅を3 μm増加させた設計では、圧迫漏れ光の平均臨界値が30.61%上昇した。PSの位置を中央に全体的に配置した設計は、右上寄り設計と比較してパネルの圧迫漏れ光平均臨界力値を33.33%向上させた。PLN厚さを0.6 μm減少させることで、圧迫漏れ光の臨界力値が27.08%有効に向上した。

液晶パネル;圧迫漏れ光;スペーサー;実験計画法