Cette étude compare systématiquement les caractéristiques matérielles, les performances des films minces et les performances d’application dans les dispositifs d’affichage entre la nouvelle cible d’oxyde d’indium-étain à faible teneur en eau (W-ITO) et la cible traditionnelle d’oxyde d’indium-étain (N-ITO). La structure du matériau montre que le W-ITO compense les lacunes en oxygène en introduisant 0,10 at.% d’élément métallique en trace, ce qui inhibe le problème des particules contaminantes induites par l’eau lors du recuit; la taille des particules secondaires difficiles à pulvériser (2,02 μm) et leur proportion de surface (16,80 %) sont nettement inférieures à celles du N-ITO, réduisant ainsi à la source le phénomène d’arc électrique. En termes de performances après dépôt par pulvérisation magnétron, le W-ITO présente une meilleure moyenne de résistance de surface, une bonne stabilité de la résistivité, une cristallinité élevée et une haute transmittance, ainsi qu’un taux d’attaque humide plus élevé, une surface plus propre et un perçage moindre, favorisant la préparation de motifs de haute précision. Dans l’application des dispositifs à transistors à couche mince (TFT), les dispositifs basés sur des électrodes W-ITO montrent des caractéristiques électriques standard, leurs courbes de transfert lisses et non nouées prouvant indirectement la haute qualité de l’interface électrode/couche active. Après intégration dans un panneau en verre, les produits finis présentent d’excellentes performances en contraste optique, courbe gamma, rémanence d’image, résistance aux décharges électrostatiques et consommation d’énergie, validant l’amélioration globale des performances et de la fiabilité des panneaux d’affichage par l’électrode W-ITO. Enfin, les données de production en série confirment que l’utilisation de cibles W-ITO peut significativement augmenter le taux de rendement du premier lot de dépôt ITO (~0,14 %), réduire le taux de réparation des défauts de dépôt secondaire (~0,37 %) et prolonger efficacement les cycles de maintenance des équipements, apportant des bénéfices économiques notables. Cette étude fournit un support théorique et expérimental systématique pour la sélection des matériaux ITO haute fiabilité et haute performance et pour l’optimisation des procédés de production en masse.

oxyde d’indium-étain; pulvérisation magnétron; transistor à couche mince; panneau en verre; taux de rendement