Une méthode de caractérisation de la distribution de l'épaisseur du film d'orientation en polyimide (PI) dans la zone périphérique d'affichage d'un TFT-LCD basée sur l'analyse en profondeur par spectrométrie de masse d'ions secondaires en temps de vol (TOF-SIMS) est proposée. Un faisceau d'ions cluster à l'argon (GCIB) est utilisé pour le sputtering multi-zones du film PI imprimé par jet d'encre. Le temps de sputtering correspondant à une augmentation à 50 % de l'intensité normalisée du signal de l'ion caractéristique du substrat ITO InO₂ est sélectionné comme critère de pénétration de la couche, mesurant la distribution d'épaisseur du film dans 17 micro-zones au bord. La profondeur de la fosse de sputtering et l'épaisseur initiale du film ont été mesurées indépendamment avec un profilomètre, et la fiabilité de la tendance de distribution d'épaisseur révélée par la méthode a été vérifiée par une analyse statistique de la corrélation entre le temps de sputtering et l'épaisseur. La méthode a été appliquée à quatre échantillons de films PI préparés avec différentes conditions de préchauffage. La méthode d'analyse en profondeur TOF-SIMS a montré une forte concordance de la tendance de distribution spatiale entre le temps de sputtering du film et l'épaisseur initiale mesurée par profilomètre, avec un coefficient de corrélation de Spearman global compris entre 0,571 et 0,963. Les échantillons A et C, qui ont été laissés au repos pendant 1 minute avant le préchauffage, présentaient des valeurs maximales de temps de sputtering dans la zone de bord de 378 et 487 s, bien supérieures aux temps moyens des autres microzones (environ 180 s) ; tandis que les échantillons B et D, sans temps de repos, présentaient un temps de sputtering uniformément réparti sur toute la zone (environ 180 s). Cette méthode offre un outil d'analyse efficace pour la caractérisation de la distribution d'épaisseur des films multi-microzones à grande échelle, fournissant un support technique à l'optimisation des procédés d'impression jet d'encre des films d'orientation PI et à l'amélioration des procédés de fabrication de panneaux à bord étroit.

spectrométrie de masse d'ions secondaires en temps de vol;analyse en profondeur;polyimide;film d'orientation liquide cristallin;caractérisation d'épaisseur;impression jet d'encre