Phénomène de motif arc-en-ciel dans la zone des trous des écrans OLED provoqué par le changement de film SiON dans le TFE

CAI Hankun ,  

YANG Jinjin ,  

LI Zuobin ,  

TU Qiumei ,  

ZHANG Guofeng ,  

摘要

Ces dernières années, avec le développement de la tendance à l’amincissement des téléphones portables et l’augmentation des exigences de fiabilité, la proportion d’apparition du phénomène de motif arc-en-ciel dans la zone des trous des écrans OLED (diode électroluminescente organique) a légèrement augmenté. Cet article analyse qualitativement et quantitativement les causes du phénomène arc-en-ciel dans la zone des trous des écrans OLED ; sur cette base, il établit un ensemble relativement complet de méthodes d’analyse multidimensionnelles qui se recoupent pour vérifier les résultats. L’optimisation supplémentaire de la composition et de la structure des couches de l’encapsulation en film mince (Thin Film Encapsulation, TFE) peut réduire au maximum le risque de taches sombres liées aux motifs arc-en-ciel dans la zone des trous après les tests de fiabilité. Grâce à des éclats, les zones et emplacements d’apparition du motif arc-en-ciel dans la zone des trous sous conditions de température et humidité élevées ont été analysés ; et les causes du phénomène dans la zone des trous ont été analysées via un microscope électronique en transmission (TEM), la spectrométrie de masse secondaire à temps de vol (TOF-SIMS) et la spectroscopie de photoélectrons X (XPS). Les résultats expérimentaux montrent que le SiON dans le CVD1 (dépôt chimique en phase vapeur 1) sous conditions de haute température et humidité se transforme progressivement en couche de SiO. Les résultats TEM et TOF-SIMS indiquent que la teneur en azote de la couche oxydée est inférieure à 2 % ; les résultats de décomposition des pics XPS montrent que le SiON en surface du CVD1-2 a presque entièrement été converti en couche de SiO. En augmentant l’indice de réfraction de la couche SiON du CVD1-1 dans le TFE de 1,72 à 1,76, la profondeur d’oxydation de la couche SiON du CVD1-1 a diminué de 70 %. L’établissement de cette méthode d’analyse explique non seulement que le SiO généré après oxydation de la couche CVD dans la zone des trous est la cause du phénomène d’arc-en-ciel, mais propose également l’impact de la zone du motif arc-en-ciel sur la fiabilité de la zone des trous du panneau OLED. Cette stratégie offre une solution pour les futures applications des écrans OLED dans les domaines nécessitant une fiabilité accrue tels que l’automobile, l’informatique (Information Technology), les panneaux publicitaires, etc.

关键词

phénomène de motif arc-en-ciel;écran OLED à trous;encapsulation en film mince;siliconitride;oxyde de silicium

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