Ces dernières années, avec le développement de la tendance à la réduction de l’épaisseur des téléphones portables ainsi que l’augmentation des exigences en matière de fiabilité, la proportion d’apparition du phénomène de stries arc-en-ciel dans les zones de trous des écrans OLED (diode électroluminescente organique) a augmenté. Cet article analyse qualitativement et quantitativement les causes de l’apparition du phénomène de stries arc-en-ciel dans les zones de trous des écrans OLED, et sur cette base, établit une méthode d’analyse multidimensionnelle relativement complète permettant une vérification croisée des résultats. L’optimisation supplémentaire des composants de la structure des couches de l’encapsulation par film mince (Thin Film Encapsulation, TFE) peut réduire au maximum les risques de taches sombres liées aux stries arc-en-ciel dans la zone des trous après les tests de fiabilité. Par découpage, les zones et positions où apparaissent les stries arc-en-ciel sous des conditions de température élevée et d’humidité élevée ont été analysées ; et avec un microscope électronique en transmission (Transmission Electron Microscope, TEM), une spectrométrie secondaire par ions à temps de vol (Time of Flight Secondary Ion Mass Spectrometry, TOF-SIMS) et un système de spectroscopie photoélectronique X (X-ray Photoelectron Spectroscopy, XPS), les causes du phénomène dans la zone des trous ont été examinées. Les résultats expérimentaux montrent que dans le CVD1 (dépôt chimique en phase vapeur 1), le SiON se transforme progressivement en couche SiO sous des conditions de haute température et humidité élevées. Les résultats TEM et TOF-SIMS indiquent que la teneur en azote de la couche oxydée est inférieure à 2 % ; les résultats de décomposition XPS montrent que la surface du CVD1-2 a presque totalement été convertie en couche SiO. En augmentant l’indice de réfraction de la couche SiON dans CVD1-1 de 1,72 à 1,76 dans le TFE, la profondeur d’oxydation de la couche SiON dans CVD1-1 a diminué de 70 %. L’établissement de cette méthode d’analyse explique non seulement que le SiO produit après l’oxydation de la couche CVD dans la zone des trous est la cause du phénomène de stries arc-en-ciel, mais suggère également l’impact de la zone des stries arc-en-ciel sur la fiabilité de la zone des trous du panneau OLED. Cette stratégie propose des solutions pour l’utilisation future des affichages OLED dans les domaines à exigences de fiabilité plus élevées comme l’automobile, l’informatique (Information Technology) et les panneaux publicitaires.

phénomène de stries arc-en-ciel; écran OLED à trous; encapsulation par film mince; oxy-nitrure de silicium; dioxyde de silicium