Les diodes électroluminescentes à points quantiques (QLED) sont considérées comme de solides candidates pour les dispositifs d'affichage de prochaine génération à haute résolution et faible consommation d'énergie en raison de leur pureté de couleur élevée, leur efficacité lumineuse élevée, leur bonne stabilité, leur traitement en solution, leur réglage couleur complet et leur bonne compatibilité avec les procédés existants. La réalisation du motif des points quantiques est une condition préalable à leur application dans l'affichage, ce qui a donné naissance à plusieurs techniques de photolithographie. Actuellement, la technologie de motif QLED évolue des méthodes traditionnelles complexes comme la photolithographie classique et l'impression par jet d'encre, qui endommagent la performance, vers des méthodes de photolithographie directe à haute résolution et sans dommage. Cet article passe en revue les principes fondamentaux de la technologie de photolithographie directe des points quantiques, en mettant l'accent sur le mécanisme de réticulation des trois groupes photosensibles (azide, azo, liaisons disulfure), les performances de photolithographie et leur influence sur la performance des QLED, et prévoit les tendances futures de la technologie de photolithographie directe des points quantiques ainsi que les directions de développement des affichages QLED, apportant une référence importante pour l'avenir des technologies d'affichage QLED à motifs.
关键词
points quantiques; photolithographie directe; motifage; QLED; agents de réticulation photolithographiques