La technologie d’affichage intégrée hybride des semi-conducteurs à oxyde polycristallin basse température (Low Temperature Polycrystalline Oxide, LTPO) est une nouvelle technologie d’affichage intégrée qui combine le silicium polycristallin basse température (LTPS) et les semi-conducteurs à oxyde métallique (MOS), visant à réaliser des solutions d’affichage à haute performance et faible consommation. Lors du procédé d’intégration LTPO, l’hydrogène peut diffuser de la couche LTPS vers la couche à oxyde métallique, entraînant un déplacement de la tension de seuil des dispositifs et une dégradation de la stabilité, affectant ainsi la performance des produits d’affichage. Cet article examine en détail les différences de présence d’hydrogène dans les dispositifs LTPS et MOS ainsi que son impact sur les dispositifs MOS, résumant deux méthodes de blocage de l’hydrogène pour les dispositifs MOS : l’utilisation de différentes couches diélectriques et le procédé de dopage ionique. De plus, cet article récapitule les méthodes de blocage de l’hydrogène pour les dispositifs LTPO afin d’améliorer leur stabilité et fiabilité. Enfin, une perspective est donnée sur une application plus large de la technologie LTPO via le blocage de l’hydrogène dans le domaine des écrans haute performance.

Oxide polycristallin basse température;oxyde métallique;silicium polycristallin basse température;transistor à couche mince;diffusion d’hydrogène