Les transistors à couche mince à base de semi-conducteurs en oxyde métallique (MOS TFT), en raison de leur mobilité élevée des porteurs de charge (μ_FE), de leur très faible courant de fuite en mode coupé et de leur uniformité électrique sur de grandes surfaces, sont devenus une technologie clé pour le développement des écrans plats ou flexibles. Après plus de 30 ans de recherche, l'oxyde amorphe d'indium-gallium-zinc (a-IGZO) a été le premier à remplacer le silicium amorphe (a-Si) dans les TFT. Cependant, pour répondre simultanément aux exigences de l'industrie des affichages en termes de productivité accrue, de meilleures performances d'affichage (comme une haute résolution et un taux de rafraîchissement élevé) et de faible consommation d'énergie, une technologie de MOS TFT avec une mobilité plus élevée est nécessaire. Cet article passe en revue de manière systématique les avancées dans la recherche sur les caractéristiques de haute mobilité des MOS TFT obtenues grâce à des matériaux MOS multifonctionnels sous l'angle de la physique du solide, et discute de la relation entre la mobilité et la stabilité des dispositifs. Enfin, il résume l'état actuel et les perspectives de développement des MOS TFT.

semi-conducteur en oxyde métallique;transistor à couche mince;mobilité des porteurs de charge;stabilité sous polarisation