Afin d'améliorer les performances du transistor à film fin, cet article s'appuie sur la technologie de pulvérisation magnétron radiofréquence et utilise le matériau oxyde de zinc-étain (ZTO) comme couche de canal pour préparer des transistors à film fin ZTO haute performance sur un substrat SiO₂/p-Si. L'influence de la puissance de pulvérisation sur la morphologie de surface et les propriétés optiques des films ZTO a été étudiée par AFM, XRD et UV-Vis. Les performances électriques des transistors à film fin ZTO ont été testées à l'aide d'un paramétriseur semi-conducteur, et l'analyse XPS a été utilisée pour étudier l'effet de la puissance de pulvérisation sur la composition élémentaire et les états de valence dans les films ZTO, explorant ainsi le mécanisme des transistors à film fin haute performance. Les résultats expérimentaux montrent que tous les échantillons de films ZTO sont de structure amorphe, avec une surface dense et une transmissivité supérieure à 90%. Une augmentation appropriée de la puissance de pulvérisation peut améliorer les performances électriques des transistors à film fin ZTO. Le transistor fabriqué avec une puissance de pulvérisation de 90 W présente une bonne performance globale, avec une mobilité de saturation atteignant 15,61 cm²/(V·s), une pente de sous-seuil de 0,30 V/décade, une tension de seuil de -5,06 V et un ratio de commutation de courant de 8,92×10⁹.

transistor à film fin; puissance de pulvérisation; analyse XPS; film ZTO