Le nitrure de gallium, en tant que matériau pour les dispositifs d’éclairage de troisième génération, présente une amélioration significative des performances par rapport à la première génération basée sur le silicium et la deuxième génération basée sur l’arséniure de gallium. Les dispositifs Micro-LED basés sur le nitrure de gallium attirent également de plus en plus l’attention. Cependant, les LED cultivées sur la surface traditionnelle c présentent des défauts intrinsèques qui entraînent souvent une faible efficacité d’émission en applications réelles, tels que l’effet Stark limité quantique, le « green gap », le transport des porteurs, etc. Les LED non polaires ou semi-polaires ne possèdent pas de champ électrique de polarisation, ont une efficacité quantique interne élevée, une plus grande probabilité de recombinaison électrons-trous, ce qui suscite un grand intérêt pour la recherche et l’application des dispositifs Micro-LED non polaires et semi-polaires. Cet article fait une revue de l’état de l’art des dispositifs Micro-LED non polaires et semi-polaires. Il introduit d’abord les avantages des matériaux nitrure de gallium non polaires et semi-polaires sous quatre aspects : effet Stark limité quantique, « green gap », transport des porteurs, diminution de l’efficacité. Puis, concernant les défauts de dislocation, l’augmentation de l’efficacité d’extraction lumineuse et la réalisation d’un affichage couleur complète à différentes densités de courant, il présente trois techniques : façonnage des puces, gravure de motifs et réseaux. Enfin, une perspective est donnée sur le Micro-LED en tant que leader des écrans de nouvelle génération. Nous espérons que cela sera utile pour les recherches futures sur le Micro-LED.

nitrure de gallium;Micro-LED;non polaire;semi-polaire