Avec le développement continu de la technologie d'affichage, la demande pour des transistors à film mince (Thin Film Transistor, TFT) à haute performance et haute stabilité augmente. Les méthodes d'amélioration des performances des transistors à film mince par cristallisation ont attiré beaucoup d'attention. Actuellement, les matériaux à base d'oxyde d'indium, gallium et zinc (IGZO) sont largement utilisés dans les canaux des transistors à film mince en raison de leur haute mobilité, bonne flexibilité et grande transparence. Améliorer la morphologie cristalline de la couche canal IGZO est également devenu un sujet de recherche clé. Cet article résume les progrès de la recherche sur les dispositifs à transistor à film mince IGZO cristallin, décrit en détail la structure cristalline des composés IGZO, en mettant l'accent sur les monocristaux, la cristallisation orientée selon l'axe c, la forme polycristalline hexagonale, le type spinelle, le type nanocristallin et le type de cristallisation native d'IGZO, ainsi que les méthodes de préparation, les performances des dispositifs et la stabilité pour chaque type cristallin d'IGZO. Il analyse en profondeur la microstructure, résume les propriétés physiques, explique les mécanismes de cristallisation des différentes structures cristallines, établit la relation entre la structure cristalline et les propriétés électriques, et finalement discute des perspectives de développement des transistors à film mince IGZO cristallin.

IGZO cristallin; transistors à film mince; structure cristalline; progrès de la recherche