Dans le processus de gravure de la grille du transistor à couche mince (Thin film transistor, TFT), la zone d'affichage (zone AA) et la zone d'alimentation (zone Fanout) présentent un effet de charge de gravure dû aux différences de densité de câblage, ce qui entraîne une grande différence dans le degré de gravure et rend difficile la détermination du temps de gravure. La suppression de l'effet de charge de gravure dans le processus de gravure de la grille est significative pour assurer la qualité. Cet article analyse le processus microscopique de la gravure humide et propose une solution d'augmentation du débit de pulvérisation du liquide de gravure pour supprimer l'effet de charge de gravure. Le plan d'augmentation du débit de pulvérisation est transformé en ajustement du rapport du temps de gravure des trois chambres de gravure (Etch1~Etch3). Sous la condition d'un temps total de gravure inchangé, une validation de la gravure avec différents rapports de temps dans les trois chambres est effectuée, suivie d'une analyse de regroupement des résultats de gravure. Enfin, le rapport de temps optimal pour supprimer l'effet de charge est sélectionné et les résultats sont analysés en combinaison avec un réseau neuronal. Les résultats expérimentaux montrent que la réduction de la proportion de temps d’Etch3 et l’augmentation de la proportion de temps d’Etch2 permettent de supprimer l’effet de charge de gravure. Le rapport de temps d’Etch1~Etch3 est ajusté de 33,33%∶33,33%∶33,33% à 10%∶80%∶10%, la différence de degré de gravure entre la zone AA et la zone fanout est réduite de 0,575 μm à 0,317 μm. En ajustant le rapport de temps des trois zones de gravure, il est possible de supprimer l’effet de charge de gravure et de réduire la différence de degré de gravure entre les différentes zones, répondant ainsi aux exigences de production de masse de TFT.

grille;gravure humide;effet de charge;analyse de regroupement;réseau neuronal