Application du capteur à magnétorésistance tunnel pour la détection du courant OLED

ZHU Hao-bo ,  

WANG Hai ,  

LI Zi-hao ,  

KONG Xiang-yan ,  

摘要

Les caractéristiques des écrans à diode électroluminescente organique (OLED), telles que la luminosité, la gamme de couleurs et l'homogénéité d'affichage (Mura), sont étroitement liées au courant de pilotage. Afin de réaliser une détection non destructive du courant OLED après encapsulation, cet article établit une méthode de détection non destructive du courant OLED basée sur l'effet de magnétorésistance tunnel (Tunneling Magnetoresistance, TMR). Tout d'abord, en se basant sur la relation entre la luminosité de l'écran OLED et le courant de pilotage, on obtient que le courant de pilotage lorsque toute une ligne de pixels est allumée est de 40 mA. Par une analyse de simulation de la distribution du champ magnétique spatial au courant de 40 mA, les exigences de sensibilité du capteur TMR sont estimées. Ensuite, le TMR2922 est choisi comme capteur magnétique, et des études expérimentales sont menées sur la relation entre le champ magnétique de l'écran et le courant lors de l'allumage de deux lignes, plusieurs lignes et une seule colonne de pixels, ainsi que sur les problèmes de compatibilité électromagnétique de l'écran et la sensibilité du capteur. Enfin, une analyse comparative des données du champ magnétique du TMR2922 et des données optiques du colorimètre Hyperion est réalisée sous différents courants de pilotage. La simulation montre que le bruit du capteur de champ magnétique à une hauteur de 1,5 mm est meilleur que 1,1 nT/√Hz ; les résultats expérimentaux indiquent que dans un environnement non blindé, le TMR2922 peut détecter le courant de ligne OLED au niveau milliampère, tandis que le courant de colonne au niveau microampère nécessite un capteur magnétique plus sensible.

关键词

capteur à magnétorésistance tunnel;OLED;détection de courant;compatibilité électromagnétique

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