Cet article présente la fabrication de transistors à couche mince (TFT) sur substrat de polyvinylalcool (PVA), l'analyse des performances électriques et la démonstration des caractéristiques de dissolution des dispositifs. Le dispositif utilise l'oxyde d'hafnium (HfO₂) en tant que couche isolante à constante diélectrique élevée, l'oxyde de zinc dopé à l'aluminium (AZO) comme couche active, et l'aluminium pour la grille, la source et le drain. Un transistor à couche mince avec une couche isolante à constante diélectrique élevée (haut k) a été réussi par pulvérisation cathodique magnétique basse température (PVD) sur un substrat PVA, et la structure de la couche isolante a été optimisée : une structure en couches superposées d'oxyde d'hafnium (HfO₂) et d'oxyde d'aluminium (Al₂O₃) a été utilisée en tant que couche isolante. Les résultats montrent que, comparé à une structure isolante à couche unique d'oxyde d'hafnium, le transistor à couche mince avec couche isolante en structure superposée offre de meilleures performances, avec un courant de fuite plus faible, un rapport de commutation plus élevé et une pente de sous-seuil plus faible, ce qui le rend plus adapté en tant que couche isolante pour les transistors à couche mince sur substrat PVA. Le rapport marche/arrêt de l'appareil avec la couche isolante en structure superposée "sandwich" atteint 2,5×10⁶, la tension de seuil est de 10,6 V, la pente de sous-seuil est de 0,53 V·déc^-1 et la mobilité des porteurs est de 3,01 cm²·V^-1·s^-1.

transistor à couche mince;électronique transitoire;polyvinylalcool (PVA);soluble;structure isolante en couches superposées