Dans le processus de fabrication de l’électrode commune du transistor à film fin (Thin film transistor, TFT), certains échantillons de TFT présentent un courant de fuite (I_off) anormalement élevé. Ces échantillons ont été traités par le même équipement de décapage du photorésist, ce qui a conduit à l’arrêt de la production de l’équipement et à une perte de capacité. Identifier la cause de l’élévation du courant de fuite due à cet équipement de décapage et la résoudre est important pour garantir la capacité de production et la qualité. Tout d’abord, les solutions de décapage des équipements anormaux et normaux ont été collectées et analysées, révélant une teneur élevée en ions Al dans la solution anormale. Ensuite, il a été constaté que I_off du TFT augmente avec le nombre de lots traités par l’équipement anormal. La raison est que les ions Al génèrent des particules d’Al_2O_3 dans le processus de décapage, lesquelles adhèrent à la couche de passivation du dispositif TFT, formant un effet de grille parasite, ce qui entraîne finalement une augmentation de I_off. Enfin, des solutions inspirées de la méthode TRIZ ont été proposées, optimisées et vérifiées. Les résultats expérimentaux montrent qu’avec une concentration d’ions Al dans la solution de décapage passant de 1×10^-8 à 2,189×10^-6, I_off augmente de 3,56 pA à 7,56 pA. Lorsque la solution contenait des ions Al et que le nombre de décapages augmentait, I_off montrait une tendance à la hausse. Une augmentation de la puissance du traitement plasma avant formation de la couche de passivation et une augmentation de l’épaisseur de la couche de passivation peuvent inhiber l’augmentation de I_off. Ainsi, il est possible de déterminer que l’élévation de I_off observée est due à l’effet de grille parasite causé par les ions Al dans la solution de décapage, et que le renforcement du traitement préalable et l’augmentation de l’épaisseur de la couche de passivation peuvent inhiber cet effet.

Transistor à film fin; décapage du photorésist; ions Al; effet de grille parasite; théorie de résolution des problèmes inventifs