Pour obtenir une source lumineuse à base de silicium avec une haute efficacité quantique, un réseau de cavités circulaires de taille micrométrique a été préparé sur une plaquette de silicium monocristallin à l'aide d'un laser à impulsions nanosecondes, et les performances de l'échantillon après un traitement de recuit à haute température ont été étudiées. Des points quantiques formés à l'intérieur des cavités présentent un pic de photoluminescence très intense autour de la longueur d'onde de 710 nm. L'échantillon a été soumis à un recuit à 1000 ℃, et en contrôlant le temps de recuit, un spectre de photoluminescence en fonction de la puissance d'excitation avant et après le recuit a été comparé, montrant des variations dans les émissions spontanées et stimulées. De plus, après un recuit de 20 minutes, l'intensité de la photoluminescence a été mesurée à différents endroits dans la cavité, révélant que l'émission de photoluminescence la plus forte se trouvait sur les bords, probablement liée à la forte concentration de points quantiques émetteurs sur les bords. Enfin, l'efficacité quantique externe maximale de photoluminescence (PL-EQE) dans la cavité a été mesurée en utilisant une méthode standard d'étalonnage de LED. Les résultats montrent que l'efficacité quantique externe à l'intérieur de la cavité peut atteindre 9,29 % après recuit.

points quantiques de silicium;photoluminescence;recuit haute température;efficacité quantique externe