Zur Anpassung an die Anforderungen der Niedertemperaturherstellung flexibler Elektronik wird in diesem Artikel ein Niedertemperatur-Glühprozess bei 300 ℃ verwendet, um einen MgZnO/ZTO-Dünnschichttransistor (TFT) mit Aluminium-Zink-Oxid-(AZO)-Film als transparentem Elektrodenmaterial herzustellen. Es wurde systematisch der Einfluss der AZO-Elektrodenstärke (110 nm, 165 nm, 220 nm, 275 nm) auf die Geräteleistung untersucht. Die Filme wurden mittels UV-Vis-Spektrometer, Rasterkraftmikroskopie, Rasterelektronenmikroskopie und Röntgenphotoelektronenspektroskopie charakterisiert. Die Ergebnisse zeigen, dass die beste Geräteleistung bei einer AZO-Elektrodenstärke von 165 nm erreicht wird, mit einer Feldmobilität von 0,482 cm²·V⁻¹·s⁻¹, einer Schwellenspannung von 6,362 V, einem Unter-Schwellwert-Swing von 3,418 V/Dekade und einem Strom-Ein/Aus-Verhältnis im Bereich von 10⁷. Die Analyse zeigt, dass bei 165 nm die Sauerstoffvakanzkonzentration im Film optimal ist, was ausreichend Ladungsträger für eine verbesserte Leitfähigkeit bereitstellt und die Effizienz der Ladungseinspritzung und -übertragung effektiv gewährleistet. Außerdem wurden Stabilitätstests unter positiven (PBS) und negativen (NBS) Vorspannungsbelastungen durchgeführt. Bei einer Gate-Spannung von ±20 V und einer Belastungsdauer von 1000 s betrug die Verschiebung der Schwellenspannung nur +1,99 V bzw. -3,62 V, was eine leicht bessere Stabilität als bei traditionellen ITO-Elektrodengeräten zeigt. Abschließend zeigen die Ergebnisse, dass der MgZnO/ZTO-TFT mit einer AZO-Elektrodenstärke von 165 nm und Niedertemperatur-Glühen gute elektrische Eigenschaften und Stabilität aufweist und eine praktikable Lösung für die Herstellung von transparenten TFT-Geräten ohne Indium bei Niedertemperatur bietet.

AZO-Elektrode; MgZnO/ZTO-TFT; Niedertemperatur-Glühen; XPS; Stabilität