In den letzten Jahren ist mit der Entwicklung des Trends zu dünneren Handys und den gestiegenen Anforderungen an die Zuverlässigkeit der Anteil des Auftretens des Regenbogenmuster-Phänomens im Lochbereich von OLED (Organische Leuchtdiode)-Bildschirmen leicht angestiegen. Dieser Artikel analysiert qualitativ und quantitativ die Ursachen des Auftretens des Regenbogenmusters im Lochbereich von OLED-Bildschirmen und stellt darauf basierend eine relativ vollständige multidimensionale Analysetestmethode auf, die gegenseitig überprüfbare Ergebnisse liefert. Durch die weitere Optimierung der Schichtstruktur und Zusammensetzung der Dünnfilmverkapselung (Thin Film Encapsulation, TFE) kann das Risiko von dunklen Flecken, die mit dem Regenbogenmuster im Lochbereich nach Zuverlässigkeitstests zusammenhängen, auf ein Minimum reduziert werden. Durch das Abbrechen von Scherben wurden die Bereiche und Positionen analysiert, in denen unter Hochtemperatur- und Hochfeuchtigkeitsbedingungen Regenbogenmuster im Lochbereich auftreten; und die Ursachen des Phänomens im Lochbereich wurden durch Transmissionselektronenmikroskop (TEM), Flugzeitsekundärionenmassenspektrometrie (TOF-SIMS) und Röntgen-Photoelektronenspektroskopie (XPS) systematisch analysiert. Die Versuchsergebnisse zeigen, dass SiON in CVD1 (Chemical Vapor Deposition 1) unter Hochtemperatur- und Hochfeuchtigkeitsbedingungen schrittweise in eine SiO-Schicht umgewandelt wird. TEM- und TOF-SIMS-Ergebnisse zeigen, dass der Stickstoffgehalt in der oxidierten Schicht unter 2 % liegt; XPS-Spaltenanalyse zeigt, dass SiON an der Oberfläche von CVD1-2 fast vollständig in eine SiO-Schicht umgewandelt wurde. Durch die Erhöhung des Brechungsindex der SiON-Schicht von CVD1-1 in der TFE von 1,72 auf 1,76 wurde die Oxidationstiefe der SiON-Schicht von CVD1-1 um 70 % reduziert. Die Etablierung dieser Analysemethode erklärt nicht nur, dass das durch Oxidation der CVD-Schicht im Lochbereich entstehende SiO die Ursache des Regenbogenmuster-Phänomens ist, sondern schlägt auch die Auswirkungen des Regenbogenmuster-Bereichs auf die Zuverlässigkeit des OLED-Lochbereichs vor. Diese Strategie bietet eine Lösung für die zukünftigen Anwendungen von OLED-Displays in Bereichen mit höheren Zuverlässigkeitsanforderungen wie Fahrzeugtechnik, IT (Informationstechnologie), Werbetafeln usw.

Regenbogenmuster-Phänomen;OLED-Lochbildschirm;Dünnfilmverkapselung;Siliziumnitrid;Siliziumoxid