In den letzten Jahren ist mit der Entwicklung des Trends zur Dünnisierung von Mobiltelefonen und der steigenden Zuverlässigkeitsanforderungen der Anteil des Auftretens des Regenbogenmuster-Phänomens in den Lochbereichen von OLED (organische Leuchtdioden)-Bildschirmen gestiegen. Dieser Artikel analysiert qualitativ und quantitativ die Ursachen des Auftretens des Regenbogenmuster-Phänomens in den Lochbereichen von OLED-Bildschirmen und etablierte auf dieser Grundlage eine relativ vollständige, multidimensionale Analysemethode zur gegenseitigen Überprüfung der Ergebnisse. Die weitere Optimierung der Schichtkomponenten der Dünnschichtverkapselung (Thin Film Encapsulation, TFE) kann das Risiko von dunklen Flecken, die mit dem Regenbogenmuster im Lochbereich nach Zuverlässigkeitstests verbunden sind, auf ein Minimum reduzieren. Durch Zerschnitt wurden die Bereiche und Positionen analysiert, an denen unter Hochtemperatur- und Hochfeuchtigkeitsbedingungen das Regenbogenmuster in den Lochbereichen auftritt; und mittels Transmissionselektronenmikroskop (Transmission Electron Microscope, TEM), Zeitflug-Sekundärionenmassenspektrometrie (Time of Flight Secondary Ion Mass Spectrometry, TOF-SIMS) sowie Röntgen-Photoelektronenspektroskopie (X-ray Photoelectron Spectroscopy, XPS) wurden die Ursachen des Phänomens in den Lochbereichen untersucht. Die Versuchsergebnisse zeigen, dass SiON im CVD1 (Chemical Vapor Deposition 1) unter Hochtemperatur- und Hochfeuchtigkeitsbedingungen schrittweise in eine SiO-Schicht umgewandelt wird. Die Ergebnisse von TEM und TOF-SIMS zeigen, dass der Stickstoffgehalt in der oxidierten Schicht weniger als 2 % beträgt; die XPS-Spaltenergebnisse zeigen, dass die Oberfläche von CVD1-2 fast vollständig in eine SiO-Schicht umgewandelt wurde. Durch die Erhöhung des Brechungsindex der SiON-Schicht in CVD1-1 von 1,72 auf 1,76 im TFE wurde die Oxidationstiefe der SiON-Schicht in CVD1-1 um 70 % reduziert. Die Etablierung dieser Analysemethode erklärt nicht nur, dass SiO, das nach der Oxidation der CVD-Schicht im Lochbereich entsteht, die Ursache für das Auftreten des Regenbogenmuster-Phänomens ist, sondern schlägt auch die Auswirkung des Regenbogenmuster-Bereichs auf die Zuverlässigkeit der Lochbereiche von OLED-Panels vor. Diese Strategie bietet entsprechende Lösungsansätze für die zukünftige Anwendung von OLED-Displays in den Bereichen Fahrzeugtechnik, Informationstechnologie (Information Technology) und Werbetafeln mit höheren Zuverlässigkeitsanforderungen.

Regenbogenmuster-Phänomen; OLED-Lochbildschirm; Dünnschichtverkapselung; Siliziumnitridoxid; Siliziumdioxid