Das Ungleichgewicht bei der Elektronen-Loch-Injektion, verursacht durch die zu langsame Lochinjektion in multikomponentige kupferbasierte Chalkogenid-Quantenpunkt-Leuchtdioden (QLEDs), ist einer der Hauptgründe für die Einschränkung der Leistungssteigerung von Bauelementen. In dieser Studie wurde eine Strategie zur Modifikation der Lochinjektionsschicht mit vollständig fluorierter Harz (PFI) modifiziertem Poly(3,4-ethylendioxythiophen)-poly(styrolsulfonat) (PEDOT∶PSS) entwickelt. Mithilfe der selbstorganisierenden Eigenschaften von PFI wurde eine Lochinjektionsschicht mit Gradientenenergieniveaus, PFI-PEDOT∶PSS, aufgebaut. Einfache Lochtransportergeräte zeigten, dass die PFI-PEDOT∶PSS-Lochinjektionsschicht die Lochinjektionsbarriere effektiv senken und die Lochinjektionseffizienz erhöhen kann, wodurch die Geräteleistung verbessert wird. Schließlich erreichte das mit PFI-PEDOT∶PSS als Lochinjektionsschicht und Cu-In-Zn-S-Quantenpunkten als Leuchtschicht hergestellte elektrolumineszente Gerät eine maximale externe Quantenausbeute von 4,7 %, was das 2,2-fache des PEDOT∶PSS-basierten Geräts ist. Die Ergebnisse zeigen, dass diese Modifikationsstrategie durch Einführung von PFI in die PEDOT∶PSS-Lochinjektionsschicht die Leistung von Cu-In-Zn-S-basierten QLEDs effektiv verbessern kann und eine wichtige Forschungsgrundlage für die nachfolgende umweltfreundliche industrielle Anwendung von QLEDs legt.

Cu-In-Zn-S-Quantenpunkte;Leuchtdiode;PEDOT∶PSS;Vollständig fluoriertes Harz