Die Low Temperature Polycrystalline Oxide (LTPO) Halbleiter-Hybrid-Integrationstechnologie ist eine neue integrierte Display-Technologie, die Low Temperature Polycrystalline Silicon (LTPS) und Metalloxid-Halbleiter (MOS) kombiniert, um eine hochleistungsfähige und energieeffiziente Display-Lösung zu realisieren. Im LTPO-Integrationsprozess kann Wasserstoff aus der LTPS-Schicht in die Metalloxidschicht diffundieren, was zu einer Verschiebung der Schwellenspannung und einer Verschlechterung der Stabilität der Bauelemente führt und die Leistung der Display-Produkte beeinträchtigt. Dieser Artikel untersucht detailliert die Unterschiede im Vorhandensein von Wasserstoff in LTPS- und MOS-Bauelementen sowie die Auswirkungen von Wasserstoff auf MOS-Bauelemente, fasst zwei Wasserstoffsperrmethoden für MOS-Bauelemente zusammen: Verwendung unterschiedlicher dielektrischer Schichten und Ionendotierungsprozesse. Darüber hinaus werden Wasserstoffsperrmethoden für LTPO-Bauelemente zusammengestellt, um die Stabilität und Zuverlässigkeit von LTPO-Bauelementen zu verbessern. Abschließend wird ein Ausblick auf die breitere Anwendung der LTPO-Technologie durch Wasserstoffsperre im Bereich leistungsstarker Displays gegeben.

Low Temperature Polycrystalline Oxide;Metalloxid;Low Temperature Polycrystalline Silicon;Dünnfilmtransistor;Wasserstoffdiffusion