Dickschichttransistoren auf Basis von Metalloxidsilizium-Halbleitern (MOS TFT) sind aufgrund ihrer hohen Feld-Effekt-Mobilität (μ_FE), extrem niedrigen Abschalt-Leckströme und großen elektrischen Gleichmäßigkeit in großen Flächen zu einer Schlüsseltechnologie für die Förderung der Flachbildschirm- oder flexiblen Display-Industrie geworden. Nach über 30 Jahren Forschung hat amorphes Indium-Gallium-Zink-Oxid (a-IGZO) als erstes amorphes Silizium (a-Si) in TFTs ersetzt. Um jedoch gleichzeitig den Anforderungen der Displayindustrie nach höherer Produktionseffizienz, besserer Anzeigeleistung (wie hohe Auflösung und hohe Bildwiederholfrequenz) und geringerem Energieverbrauch gerecht zu werden, wird eine MOS TFT-Technologie mit höherer Mobilität benötigt. Dieser Artikel gibt aus Sicht der Festkörperphysik einen systematischen Überblick über die Forschung zu hochmobilen MOS TFTs durch multikomponentige MOS-Materialien und diskutiert die Beziehung zwischen Mobilität und Gerätestabilität. Abschließend werden der aktuelle Stand und die Entwicklungstrends der MOS TFTs zusammengefasst.

Metalloxid-Halbleiter;Dünnschichttransistor;Feld-Effekt-Mobilität;Bias-Stabilität