Um die Leistung von Dünnfilmtransistoren zu verbessern, basiert diese Arbeit auf der Radiofrequenz-Magnetronsputtertechnologie und verwendet Zinkzincoxid (ZTO) als Kanalschicht, um Hochleistungs-ZTO-Dünnfilmtransistoren auf einem SiO₂/p-Si-Substrat herzustellen. Die Auswirkungen der Sputterleistung auf die Oberflächenmorphologie und optischen Eigenschaften der ZTO-Filme wurden mittels AFM, XRD und UV-Vis untersucht. Die elektrischen Eigenschaften der ZTO-Dünnfilmtransistoren wurden mit einem Halbleiterparameteranalysator getestet, und XPS-Analysen wurden verwendet, um den Einfluss der Sputterleistung auf die Elementzusammensetzung und den Valenzzustand in den ZTO-Filmen zu untersuchen und den Wirkmechanismus hochleistungsfähiger Dünnfilmtransistoren zu erforschen. Die experimentellen Ergebnisse zeigen, dass alle ZTO-Filmproben eine amorphe Struktur, eine dichte Oberfläche und eine Lichtdurchlässigkeit von über 90 % aufweisen. Eine angemessene Erhöhung der Sputterleistung kann die elektrischen Eigenschaften der ZTO-Dünnfilmtransistoren verbessern. Dünnfilmtransistoren, die bei einer Sputterleistung von 90 W hergestellt wurden, zeigten eine gute Gesamtleistung mit einer Sättigungsmobilität von 15,61 cm²/(V·s), einem Subthreshold-Swing von 0,30 V/Dekade, einer Schwellspannung von -5,06 V und einem Stromumschaltverhältnis von 8,92×10⁹.

Dünnfilmtransistor; Sputterleistung; XPS-Analyse; ZTO-Film