Mit der kontinuierlichen Weiterentwicklung der Display-Technologie nimmt die Nachfrage nach Hochleistungs- und hochstabilen Dünnfilmtransistoren (Thin Film Transistor, TFT) zu. Methoden zur Leistungsverbesserung von Dünnfilmtransistoren durch Kristallisation haben große Aufmerksamkeit erregt. Derzeit werden Indium-Gallium-Zink-Oxid (IGZO)-Materialien aufgrund ihrer hohen Beweglichkeit, guten Flexibilität und hohen Transparenz häufig in den Kanälen von Dünnfilmtransistoren eingesetzt. Die Verbesserung der Kristallisationsform der IGZO-Kanal-Schicht ist ebenfalls ein Forschungsschwerpunkt geworden. Dieser Artikel fasst den Forschungsstand zu kristallinen IGZO-Dünnfilmtransistoren zusammen, beschreibt detailliert die Kristallstruktur der IGZO-Verbindungen und legt den Schwerpunkt auf Einkristalle, c-Achsen-orientierte Kristallisation, hexagonales Polymorph, Spinelltyp, Nanokristalltyp und native Kristallisationstyp von IGZO sowie die Herstellungsverfahren, Geräteleistung und Stabilität der verschiedenen kristallinen IGZO-Dünnfilmtransistoren. Es werden die Mikrostruktur eingehend analysiert, physikalische Eigenschaften zusammengefasst, Kristallisationsmechanismen verschiedener Kristallsysteme erläutert, der Zusammenhang zwischen Kristallstruktur und elektrischen Eigenschaften hergestellt und schließlich ein Ausblick auf die Entwicklung kristalliner IGZO-Dünnfilmtransistoren gegeben.

kristallines IGZO; Dünnfilmtransistor; Kristallstruktur; Forschungsfortschritte