Im Ätzprozess des Gitters eines Dünnschichttransistors (Thin film transistor, TFT) bestehen aufgrund der unterschiedlichen Leiterbahndichte in der Anzeigeregion (AA-Region) und der Ableitungsregion (Fanout-Region) Ätzlast-Effekte, die zu erheblichen Unterschieden im Ätzgrad führen und die Bestimmung der Ätzzeit erschweren. Die Unterdrückung des Ätzlast-Effekts im Gitterätzprozess ist für die Qualitätssicherung von großer Bedeutung. In diesem Artikel wird der mikroskopische Nassätzprozess analysiert und ein Vorschlag zur Erhöhung der Sprühflussrate der Ätzlösung zur Unterdrückung des Ätzlast-Effekts gemacht. Der Vorschlag zur Erhöhung der Sprühflussrate wird in eine Anpassung der Ätzzeitanteile der drei Ätzkammern (Etch1~Etch3) umgesetzt. Bei unveränderter Gesamtätzzeit werden verschiedene Zeitanteile der drei Kammern validiert und die Ätzergebnisse mittels Clusteranalyse ausgewertet. Schließlich wird der optimale Zeitanteil zur Unterdrückung des Ätzlast-Effekts ausgewählt und die Ergebnisse in Kombination mit einem neuronalen Netzwerk analysiert. Die experimentellen Ergebnisse zeigen, dass durch die Verringerung des Etch3-Zeitanteils und die Erhöhung des Etch2-Zeitanteils der Ätzlast-Effekt unterdrückt werden kann. Der Zeitanteil von Etch1~Etch3 wurde von 33,33%∶33,33%∶33,33% auf 10%∶80%∶10% angepasst, und der Unterschied im Ätzgrad zwischen der AA-Region und der Fanout-Region wurde von 0,575 μm auf 0,317 μm reduziert. Durch die Anpassung der Zeitanteile der drei Ätzbereiche kann der Ätzlast-Effekt unterdrückt, Unterschiede im Ätzgrad verschiedener Bereiche ausgeglichen und die Anforderungen der Massenproduktion von TFT erfüllt werden.

Gitter;Nassätzen;Ätzlast-Effekt;Clusteranalyse;Neuronales Netzwerk