In diesem Artikel wird ein GaN-basierter Micro-LED-Chip mit einer Auflösung von 1920×1080 entworfen und hergestellt. Die einmalige ICP-Ätzung (induktiv gekoppelte Plasma) wurde verwendet, um die Mustervorlage der Stromausdehnungsschicht und die Plattformätzung abzuschließen, was eine selbstzentrierte Ausrichtung der Stromausdehnungsschicht und der Plattform ermöglicht. Gleichzeitig wurde während der Herstellung HMDS (Hexamethyldisiloxan) verwendet, um die Haftung des Fotolacks zu verbessern, was die Konsistenz und Integrität der Ätzung kleiner Plattformen grundlegend verbessert. Darüber hinaus wurde durch das Anheben der N-Typ-Elektrode das Problem ungleicher Höhen der P-Typ- und N-Typ-Elektroden in herkömmlichen Flip-Chips gelöst, was die Verbindung zwischen Display- und Treiberchips erleichtert. Die Chipgröße beträgt 17,78 mm (0,7 Zoll), die Größe der Leuchteinheit 6 μm, der Pixeltakt 8 μm, und die Pixeldichte erreicht 3129 PPI. Die I-V-Messdaten zeigen, dass die Schaltspannung des hergestellten Micro-LEDs nur 3,5 V beträgt.

Micro-LED;hochauflösend;Flip-Chip;Ätzen