Dieser Artikel beschreibt die Herstellung von Dünnfilmtransistoren (TFT) auf Polyvinylalkohol-(PVA-)Substrat, die Analyse ihrer elektrischen Eigenschaften und die Demonstration der Löslichkeitseigenschaften des Geräts. Das Gerät verwendet das hochdieelektrische Material Hafniumoxid (HfO₂) als Isolationsschicht, aluminium-dotiertes Zinkoxid (AZO) als aktive Schicht und Aluminium als Gate, Source und Drain. Mit der Niedertemperatur-Magnetronsputter-Methode (PVD) wurde erfolgreich ein Dünnfilmtransistor mit hochdieelektrischer (hohem k) Isolationsschicht auf einem PVA-Substrat hergestellt, und die Struktur der Isolationsschicht wurde weiter optimiert: Es wurde eine Stapelstruktur aus Hafniumoxid (HfO₂) und Aluminiumoxid (Al₂O₃) als Isolationsschicht verwendet. Die Ergebnisse zeigen, dass TFTs mit geschichteter Isolationsschicht im Vergleich zu TFTs mit einkörniger Hafniumoxidisolierung eine bessere Leistung aufweisen, einschließlich geringerem Leckstrom, höherem Schaltverhältnis und niedrigerem Subthreshold-Slope, was sie besser als Isolationsschicht für Dünnfilmtransistoren auf PVA-Substrat geeignet macht. Das Ein/Aus-Verhältnis des Geräts mit der "Sandwich"-geschichteten Isolationsschicht erreicht 2,5×10⁶, die Threshold-Spannung beträgt 10,6 V, der Subthreshold-Slope liegt bei 0,53 V·dec^-1 und die Ladungsträgerbeweglichkeit bei 3,01 cm²·V^-1·s^-1.

Dünnfilmtransistor;transiente Elektronik;Polyvinylalkohol (PVA);auflösbar;geschichtete Isolationsschicht