Forschungsfortschritte bei flexiblen Dünnschichttransistoren für elektronische Papieranzeigen

GAO Zhi-wen ,  

XU Wei ,  

YAO Ri-hui ,  

WEI Xiao-qin ,  

ZHONG Jin-yao ,  

YANG Yue-xin ,  

FU Xiao ,  

LIU Tai-jiang ,  

NING Hong-long ,  

PENG Jun-biao ,  

摘要

Dünnschichttransistoren (Thin Film Transistor, TFT) fungieren als Schaltelemente in Pixeln und bilden zusammen mit Speicherkondensatoren die Ansteuerschaltung von elektronischen Papieranzeigen. Dieser Artikel klassifiziert flexible TFTs basierend auf der aktiven Schicht: organische Dünnschichttransistoren (Organic Thin Film Transistor, OTFT), amorphe Silizium-Dünnschichttransistoren (Amorphous Silicon Thin Film Transistor, a-Si TFT) und Metalloxid-Dünnschichttransistoren (Metal Oxide Thin Film Transistor, MOTFT). Es werden Forschungsfortschritte bei flexiblen elektronischen Papieranzeigen vorgestellt, mit Schwerpunkt auf Flexibilität der Bauelemente, elektrische Eigenschaften und Stabilität. Abschließend erfolgt eine vergleichende Analyse, wobei MOTFT aufgrund ihrer hervorragenden elektrischen Eigenschaften, hohen optischen Transparenz und relativ niedrigen Verarbeitungstemperatur als vielversprechster Kandidat für die nächste Generation flexibler elektronischer Papieranzeigen vorgeschlagen wird.

关键词

elektronisches Papier;flexible Dünnschichttransistoren;Metalloxid-Dünnschichttransistoren;Ansteuerung

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