Um eine Silizium-basierte Lichtquelle mit hoher Quantenausbeute zu erhalten, wurde mit einem Nanosekunden-Pulslaser ein Mikrometer-großes Array aus runden Hohlräumen auf einer einkristallinen Siliziumscheibe hergestellt, und die Leistung der Probe nach einer Hochtemperatur-Glühanlage untersucht. In den Hohlräumen gebildete Quantenpunkte zeigen ein starkes photolumineszentes Emissionsmaximum nahe 710 nm Wellenlänge. Die Probe wurde bei 1000 ℃ hochtemperaturgeglüht, wobei die Glühzeit kontrolliert wurde, und photolumineszente Spektren bei variabler Anregungslichtleistung vor und nach dem Glühen verglichen wurden, was Veränderungen der spontanen und stimulierten Emissionen zeigt. Außerdem wurde die Photolumineszenzintensität an verschiedenen Stellen des Hohlraums nach 20 Minuten Glühen gemessen, wobei die stärkste Photolumineszenz am Hohlraumrand festgestellt wurde, was vermutlich mit einer hohen Dichte an leuchtenden Quantenpunkten am Rand zusammenhängt. Schließlich wurde die maximale externe Quantenausbeute der Photolumineszenz (PL-EQE) im Hohlraum mit einer standardisierten LED-Kalibrierungsmethode gemessen. Die Ergebnisse zeigen, dass die externe Quantenausbeute im Hohlraum nach dem Glühen bis zu 9,29 % erreichen kann.

Silizium-Quantenpunkte;Photolumineszenz;Hochtemperatur-Glühen;externe Quantenausbeute