Es wurde der Einfluss der Siliziumnitridschicht auf dem TFT-Substrat auf die Farbverschiebung des weißen Bildschirms aus seitlicher Betrachtung beim fertigen TFT-LCD-Produkt untersucht, wodurch die Forschungslücke zwischen TFT-Schichten und der Farbverschiebung des weißen Bildschirms aus seitlicher Betrachtung beim TFT-LCD geschlossen wurde und eine nützliche Referenz für die Verbesserung ähnlicher optischer Farbanomalien geboten wird. Durch zahlreiche experimentelle Tests und Simulationen wurde das Einflussmuster der Dicke der Siliziumoxid-Schicht auf die Farbverschiebung des weißen Bildschirms aus seitlicher Betrachtung erforscht. Die Ergebnisse zeigen, dass die Siliziumnitridschicht ein Schlüsselparameter ist, der die Farbverschiebungsmenge und -richtung beeinflusst, wobei die Gate-Isolatorschicht (GI) und die erste Passivierungsisolatorschicht (PVX1) größeren Einfluss haben, während die zweite Passivierungsisolatorschicht (PVX2) einen geringeren Einfluss besitzt. Die Siliziumnitrid-Dicke korreliert nichtlinear mit dem Ausmaß der Farbverschiebung des weißen Bildschirms aus seitlicher Betrachtung. Am Beispiel eines HADS-Produkts umfasst die Siliziumnitridschicht die Gate-Isolatorschicht (320 nm), die erste Passivierungsisolatorschicht (100 nm) und die zweite Passivierungsisolatorschicht (200 nm). Basierend auf den Ergebnissen von Einzelfaktor-Experimenten und Simulationen und unter Berücksichtigung elektrischer Eigenschaften und Produktionseinflüssen wurde PVX1 140 nm als Verbesserungsbedingung verwendet, was die Rotfärbung des weißen Bildschirms aus seitlicher Betrachtung effektiv verbessert, d. h. bei makroskopischer Betrachtung kein Rotfärbungsphänomen auftritt und die gemessenen Daten den Produktspezifikationen entsprechen.

Dünnschichttransistor-Flüssigkristalldisplay; Siliziumnitridschicht; optische Farbmessung; Farbverschiebung aus seitlicher Betrachtung; vollständig weißer Bildschirm