يقارن هذا البحث بشكل منهجي خصائص المواد وأداء الأغشية الرقيقة لتارجت أكسيد القصدير الإنديوم منخفض الماء الجديد (W-ITO) مع التارجت التقليدي أكسيد القصدير الإنديوم (N-ITO)، بالإضافة إلى أدائهما في تطبيقات أجهزة العرض. تُظهر بنية المادة أن W-ITO يعوض عن فجوات الأكسجين من خلال إدخال عنصر معدني نادر بنسبة 0.10 at.%، مما يحد من مشكلة جزيئات الملوثات الناتجة عن الماء أثناء التلدين. كما أن حجم الجسيمات الثانوية التي يصعب ترسيبها (2.02 ميكرومتر) ونسبة المساحة (16.80%) في W-ITO أقل بكثير من N-ITO، مما يقلل من ظاهرة القوس الكهربائي من المصدر. فيما يتعلق بأداء الأغشية الرقيقة بعد الترسيب بالرذاذ المغناطيسي، يظهر W-ITO مقاومة سطحية متوسطة أفضل، واستقرار عالي للمقاومة الكهربائية، وجودة تبلور عالية وشفافية عالية، بالإضافة إلى سرعة أكبر في الحفر الرطب، ونقاء سطح أعلى، وحفر أقل، مما يدعم تحضير نماذج دقيقة عالية الدقة. في تطبيق أجهزة الترانزستور الرقيق (TFT)، تظهر الأجهزة القائمة على أقطاب W-ITO خصائص كهربائية معيارية ومنحنيات انتقال ناعمة غير ملتوية، مما يشير إلى جودة عالية لواجهة القطب/طبقة النشاط. بعد التعبئة والتغليف الزجاجي المدمج، تُظهر المنتجات أداءً ممتازًا في التباين البصري، ومنحنى جاما، وبقايا الصور، ومقاومة التفريغ الكهروستاتيكي، واستهلاك الطاقة، مما يثبت تعزيز W-ITO لأداء وموثوقية لوحات العرض. في النهاية، تؤكد بيانات الإنتاج الضخم أن استخدام تارجت W-ITO يمكن أن يزيد بشكل ملحوظ من معدل نجاح دفعة ترسيب ITO الأولى (~0.14%)، ويخفض معدل إصلاح العيوب الناتجة عن الترسيب الثانوي (~0.37%)، ويمدد بشكل فعال دورة صيانة الأجهزة، مما يجلب فوائد اقتصادية ملحوظة. يوفر هذا البحث دعمًا نظريًا وتجريبيًا منهجيًا لاختيار مواد ITO عالية الموثوقية والأداء ولتحسين عمليات الإنتاج الضخم.

أكسيد القصدير الإنديوم; الترسيب بالرذاذ المغناطيسي; الترانزستور الرقيق; لوحة زجاجية; معدل النجاح