تم اقتراح طريقة توصيف توزيع سمك الأغشية بناءً على التحليل العميق باستخدام مطيافية الأيونات الثانوية بزمن الطيران (TOF-SIMS) لمشكلة توصيف سمك غشاء توجيه بوليميد الإيميد (PI) في منطقة العرض المحيطة بشاشة TFT-LCD. تم استخدام شعاع عنقودي الأرغون (GCIB) للرش في مناطق متعددة على غشاء PI المطبوعة بالطباعة النقطية. تم اختيار وقت الرش المقابل لارتفاع شدة إشارة الأيون المميز لركيزة ITO InO₂ إلى 50٪ كمعيار لاختراق الطبقة، وتم قياس توزيع سمك الغشاء في 17 منطقة ميكرو عند الحافة. تم قياس عمق الحفرة الناتجة عن الرش وسمك الغشاء الأصلي باستخدام جهاز درجة الخطوة للمقارنة، وتم التحقق من موثوقية اتجاه توزيع السمك الذي كشفته الطريقة من خلال التحليل الإحصائي للعلاقة بين وقت الرش والسمك. تم تطبيق الطريقة على أربع عينات أغشية PI أعدت بعمليات تجفيف مبدئية مختلفة. أظهرت طريقة التحليل العميق TOF-SIMS توافقًا عاليًا في الاتجاه المكاني بين وقت رش الغشاء وسمكه الأصلي الذي تم قياسه بجهاز درجة الخطوة، حيث تراوحت معاملات ارتباط سبيرمان بين 0.571 و0.963 بشكل عام. أظهرت العينتان A وC اللتان تم وضعهما في حالة سكون لمدة دقيقة واحدة قبل التجفيف المبدئي أعلى أوقات رش عند الحواف، 378 و487 ثانية على التوالي، وهو أعلى بكثير من متوسط الأوقات في المناطق الميكروية الأخرى (حوالي 180 ثانية)، في حين كانت أوقات الرش موحدة إلى حد ما (حوالي 180 ثانية) في العينتين B وD اللتين لم تخضعا لفترة سكون. توفر هذه الطريقة أداة تحليل فعالة لتوصيف توزيع سمك الأغشية في مناطق متعددة واسعة النطاق، ويمكن أن تدعم تحسين عملية طباعة أغشية PI الموجهة بطباعة الحبر وتحسين عملية تصنيع لوحات الحواف الضيقة.

مطيافية الأيونات الثانوية بزمن الطيران;تحليل عميق;بوليميد الإيميد;غشاء توجيه الكريستال السائل;توصيف سمك الغشاء;طباعة الحبر