摘要
لتلبية متطلبات تصنيع الإلكترونيات المرنة في درجات حرارة منخفضة، استخدمت هذه الدراسة عملية التلدين عند 300 درجة مئوية منخفضة الحرارة لتحضير ترانزستور رقيق (TFT) مكون من فيلم أكسيد المغنزيوم والزنك (MgZnO) / ZTO باستخدام فيلم أكسيد الألمنيوم والزنك (AZO) كقطب شفاف. وتمت دراسة تأثير سمك قطب AZO (110 نانومتر، 165 نانومتر، 220 نانومتر، 275 نانومتر) على أداء الجهاز بشكل منهجي. تم استخدام مطياف الأشعة فوق البنفسجية - المرئية، الميكروسكوب القوة الذرية، المجهر الإلكتروني الماسح، وتقنية طيف فوتوالكترونية للأشعة السينية لتحليل الأفلام، وأظهرت النتائج أن أداء الجهاز كان الأفضل عند سمك قطب AZO 165 نانومتر، حيث بلغت حركة المجال 0.482 سم²·فولت⁻¹·ث⁻¹، وجهد العتبة 6.362 فولت، والتذبذب تحت العتبة 3.418 فولت/عقدة، ونسبة تشغيل التيار يمكن أن تصل إلى مستوى 10⁷. التحليل يشير إلى أنه عند سمك قطب AZO 165 نانومتر، تكون تركيزات شواغر الأكسجين في الفيلم مثالية، مما يوفر تركيزًا مناسبًا من الشواغر التي تزود الفيلم بعدد كافٍ من حاملات الشحنة مما يحسن التوصيلية ويضمن كفاءة حقن ونقل الشحنة بفعالية. كما اختبرنا استقرار الجهاز تحت إجهاد الجهد الموجب (PBS) والإجهاد الجهد السالب (NBS). عند جهد البوابة ±20 فولت ووقت الإجهاد 1000 ثانية، كان انحراف جهد العتبة فقط +1.99 فولت و-3.62 فولت، مما يدل على استقرار أفضل قليلاً من أجهزة قطب ITO التقليدية. أخيرًا، تبين أن سمك قطب AZO عند 165 نانومتر مع التلدين المنخفض الحرارة يحقق أداء كهربائي جيد واستقرار لجهاز MgZnO/ZTO-TFT، مما يوفر حلاً عمليًا لإنتاج أجهزة TFT شفافة منخفضة درجة الحرارة وخالية من الإنديوم.
关键词
قطب AZO;MgZnO/ZTO-TFT;التلدين منخفض الحرارة;XPS;الاستقرار
以上内容由讯飞翻译自动生成，翻译内容仅供参考。对于因使用本网站翻译内容产生的相关后果，本网站不承担任何商业和法律责任。
The above content is generated by Large Model Translation. The translated content is for reference only. We do not assume any commercial or legal responsibilty for any consequences arising from the use of our website