في السنوات الأخيرة، مع تطور اتجاه ترقيق الهواتف المحمولة وزيادة متطلبات الموثوقية، زاد معدل ظهور ظاهرة قوس قزح في مناطق الفتحات بشاشات OLED (الصمام الثنائي الباعث للضوء العضوي). قامت هذه المقالة بتحليل الأسباب النوعية والكمية لظهور ظاهرة قوس قزح في مناطق فتحات شاشات OLED، وبناءً على ذلك، أنشأت مجموعة كاملة نسبيًا من طرق الاختبار التحليلية متعددة الأبعاد التي يمكن التحقق من نتائجها بشكل متقاطع. يمكن من خلال تحسين مكونات طبقة الغشاء في التغليف الغشائي الرقيق (Thin Film Encapsulation، TFE) تقليل مخاطر البقع الداكنة المرتبطة بقوس قزح في مناطق الفتحات بعد اختبارات الموثوقية إلى الحد الأقصى. من خلال التقطيع، تم تحليل المناطق والأماكن التي تظهر فيها ظاهرة قوس قزح تحت ظروف الاختبار بدرجة حرارة عالية ورطوبة مرتفعة؛ كما تم تحليل أسباب ظهور الظاهرة في مناطق الفتحات باستخدام مجهر الإلكترون النافذ (Transmission Electron Microscope، TEM) و مطياف الأيونات الثانوية بزمن الطيران (Time of Flight Secondary Ion Mass Spectrometry، TOF-SIMS) ونظام طيف إلكترونات الأشعة السينية (X-ray Photoelectron Spectroscopy، XPS). أظهرت النتائج التجريبية أنه في CVD1 (الترسيب الكيميائي البخاري 1) يتحول SiON تدريجيًا إلى طبقة SiO تحت ظروف الحرارة المرتفعة والرطوبة العالية. أظهرت نتائج TEM و TOF-SIMS أن المحتوى النيتروجيني للغشاء المؤكسد أقل من 2%؛ وأظهرت نتائج فصل ذرات XPS أن سطح CVD1-2 تحول تقريبًا بالكامل إلى طبقة SiO. من خلال زيادة معامل انكسار طبقة SiON في CVD1-1 من 1.72 إلى 1.76 في TFE، انخفض عمق أكسدة طبقة SiON في CVD1-1 بنسبة 70%. لا يفسر إنشاء طريقة التحليل هذه فقط أن SiO المتولد بعد أكسدة طبقة CVD في منطقة الفتحات هو سبب ظهور ظاهرة قوس قزح، بل ويقترح أيضًا تأثير منطقة الظاهرة على موثوقية فتحات لوحة OLED. يوفر هذا الحل استراتيجيات للاستخدامات المستقبلية لشاشات OLED في مجالات تتطلب موثوقية أعلى مثل السيارات وتكنولوجيا المعلومات (Information Technology) واللوحات الإعلانية.

ظاهرة قوس قزح; شاشة OLED ذات الفتحات; تغليف الأغشية الرقيقة; أكسيد النيتروجين السيليكوني; أكسيد السيليكون