في السنوات الأخيرة، مع تطور اتجاهات ترقيق الهواتف المحمولة وزيادة متطلبات الموثوقية، ارتفعت نسبة ظهور نمط قوس قزح في مناطق الثقوب بشاشات OLED (الصمام الثنائي العضوي الباعث للضوء). قام هذا المقال بتحليل نوعي وكمي لأسباب ظهور نمط قوس قزح في مناطق ثقوب شاشات OLED، وبناءً عليه، أنشأ مجموعة نسبياً كاملة من طرق التحليل والاختبار متعددة الأبعاد للتحقق المتبادل من النتائج. يمكن للتحسينات الإضافية في تركيبة طبقة الأغشية المغلفة الرقيقة (غشاء التغليف الرقيق، TFE) تقليل مخاطر وجود بقع داكنة مرتبطة بنمط قوس قزح بمناطق الثقوب بعد اختبار الموثوقية إلى الحد الأدنى. من خلال شرائح الكسر، تم تحليل مناطق ومواقع ظهور نمط قوس قزح في ظروف التجربة ذات الحرارة والرطوبة العالية؛ وباستخدام مجهر الإلكترون النافذ (TEM)، مطياف الوقت حتى الرحلة للأيونات الثانوية (TOF-SIMS)، ونظام مطيافية الأشعة السينية للبروتونات (XPS)، تم تحليل أسباب ظاهرة ظهور نمط قوس قزح في مناطق الثقوب. أظهرت النتائج التجريبية أن SiON في CVD1 (الترسيب الكيميائي بالبخار 1) يتحول تدريجياً إلى طبقة SiO تحت ظروف الحرارة والرطوبة العالية. أظهرت نتائج TEM وTOF-SIMS أن محتوى النيتروجين في الغشاء المؤكسد أقل من 2%؛ وأظهرت نتائج تحليل قمة XPS أن SiON على سطح CVD1-2 تحول تقريبًا بالكامل إلى طبقة SiO. من خلال رفع معامل انكسار طبقة SiON في CVD1-1 داخل TFE من 1.72 إلى 1.76، انخفضت عمق تأكسد طبقة SiON في CVD1-1 بنسبة 70%. لا يفسر بناء طريقة التحليل هذه فقط أن SiO الناتج عن تأكسد طبقة CVD في منطقة الثقوب هو سبب ظهور نمط قوس قزح، بل يقترح أيضًا تأثير منطقة نمط قوس قزح على موثوقية منطقة ثقوب لوحة OLED. توفر هذه الاستراتيجية حلاً لتطبيقات OLED المستقبلية في المجالات التي تتطلب موثوقية أعلى مثل السيارات وتقنية المعلومات (IT) واللافتات الإعلانية.

ظاهرة نمط قوس قزح;شاشة OLED ذات الثقوب;التغليف بالغشاء الرقيق;نيتروكسيد السيليكون;أكسيد السيليكون