التقدم البحثي في ترانزستورات الأغشية الرقيقة لأشباه الموصلات أكاسيد المعادن ذات معدل الانتقال العالي

LI Qiang ,  

GE Chunqiao ,  

CHEN Lu ,  

ZHONG Weiping ,  

LIANG Qiying ,  

LIU Chunxi ,  

DING Jinduo ,  

摘要

تعتبر ترانزستورات الأغشية الرقيقة القائمة على أشباه الموصلات أكاسيد المعادن (MOS TFT) تقنية حاسمة لدفع تطوير صناعة الشاشات المسطحة أو المرنة بسبب معدل انتقال المجال العالي (μFE)، وتيار التسرب المنخفض جداً عند الإيقاف، وتجانس الخصائص الكهربائية على مساحة واسعة. بعد أكثر من 30 عامًا من البحث، تم تبني أكسيد الإنديوم والجاليوم والزنك غير المتبلور (a-IGZO) كبديل رائد لأكسيد السيليكون غير المتبلور (a-Si) في TFTs. ومع ذلك، لتلبية متطلبات الصناعة الشاشات لمزيد من الكفاءة في الإنتاج، وأداء عرض أفضل (مثل الدقة العالية، ومعدل التحديث العالي)، واستهلاك طاقة أقل، هناك حاجة إلى تقنية MOS TFTs ذات معدل انتقال أعلى. يستعرض هذا المقال من منظور فيزياء الحالة الصلبة التقدم البحثي في تحقيق خصائص معدل انتقال مرتفع عبر استخدام مواد MOS متعددة في MOS TFTs، ويناقش العلاقة بين معدل الانتقال واستقرار الجهاز. وأخيرًا، يلخص المقال الحالة الراهنة وتوجهات التطور لتقنية MOS TFTs.

关键词

أشباه الموصلات أكاسيد المعادن;ترانزستورات الأغشية الرقيقة;معدل انتقال المجال;ثبات الانحياز

阅读全文

以上内容由讯飞翻译自动生成，翻译内容仅供参考。对于因使用本网站翻译内容产生的相关后果，本网站不承担任何商业和法律责任。

The above content is generated by Large Model Translation. The translated content is for reference only. We do not assume any commercial or legal responsibilty for any consequences arising from the use of our website