摘要
مع التطور المستمر لتقنيات العرض، تزايد الطلب على الترانزستورات الرقيقة ذات الأداء العالي والثبات العالي (الترانزستورات ذات الغشاء الرقيق، TFT)، وقد حظيت الطرق التي تعتمد على التبلور لتحسين أداء الترانزستورات الرقيقة باهتمام كبير. في الوقت الحالي، تُستخدم مواد أكسيد الإنديوم والجاليوم والزنك (IGZO) على نطاق واسع في قنوات الترانزستورات الرقيقة بسبب ميزاتها من سرعة التنقل العالية، والمرونة الجيدة، والشفافية العالية، وأصبح تحسين شكل التبلور لطبقة قناة IGZO محورًا رئيسيًا للبحث. تلخص هذه المقالة تقدم الأبحاث في أجهزة الترانزستورات الرقيقة IGZO المتبلورة، وتعرض بالتفصيل البنية البلورية لمركبات IGZO، مع التركيز على الكريستالات الأحادية، والتبلور الموجه بمحور c، والمتعدد البلورات السداسية الأوجه، والنمط المدبب، والنمط النانوي، ونمط التبلور البدائي لطبقات IGZO وكذلك طرق تحضيرها، وأداء الأجهزة، واستقرارها. كما تحلل البنية المجهرية بعمق، وتلخص الخصائص الفيزيائية، وتشرح آليات التبلور في البنى البلورية المختلفة، وتؤسس العلاقة بين البنية البلورية والخصائص الكهربائية، وأخيرًا تستعرض تطور الترانزستورات الرقيقة IGZO المتبلورة.
关键词
IGZO المتبلورة؛ الترانزستورات الرقيقة؛ البنية البلورية؛ تقدم الأبحاث
以上内容由讯飞翻译自动生成，翻译内容仅供参考。对于因使用本网站翻译内容产生的相关后果，本网站不承担任何商业和法律责任。
The above content is generated by Large Model Translation. The translated content is for reference only. We do not assume any commercial or legal responsibilty for any consequences arising from the use of our website