摘要
في عملية النقش لبوابة ترانزستور الفيلم الرقيق (Thin film transistor، TFT)، توجد تأثيرات تحميل النقش بسبب اختلاف كثافة التوصيل بين منطقة العرض (منطقة AA) ومنطقة التوصيل (منطقة Fanout)، مما يؤدي إلى اختلاف كبير في درجة النقش وصعوبة تحديد وقت النقش. كبح تأثير تحميل النقش في عملية نقش بوابة TFT له أهمية إيجابية لضمان الجودة. تحلل هذه الورقة العملية الميكروية للنقش الرطب وتقترح زيادة معدل رش محلول النقش لكبح تأثير تحميل النقش. تم تحويل خطة زيادة معدل الرش إلى تعديل نسبة زمن النقش في ثلاثة غرف نقش (Etch1~Etch3). تم إجراء اختبار نقش بنسبة زمن مختلفة في الغرف الثلاث مع بقاء إجمالي وقت النقش ثابتًا، وتم إجراء تحليل تجميع لنتائج النقش. وأخيرًا، تم اختيار نسبة الزمن المثلى لكبح تأثير تحميل النقش، وتم تحليل النتائج باستخدام الشبكات العصبية. أظهرت النتائج التجريبية أن تقليل نسبة وقت Etch3 وزيادة نسبة وقت Etch2 يمكن أن يكبح تأثير تحميل النقش. تم تعديل نسبة الوقت في Etch1~Etch3 من 33.33%∶33.33%∶33.33% إلى 10%∶80%∶10%، وانخفض فرق درجة النقش بين منطقة AA ومنطقة fanout من 0.575 ميكرومتر إلى 0.317 ميكرومتر. من خلال تعديل نسبة وقت المناطق الثلاث للنقش، يمكن كبح تأثير تحميل النقش وتقليل الفرق في درجة النقش بين المناطق المختلفة، مما يلبي متطلبات الإنتاج الضخم لـ TFT.
关键词
بوابة;نقش رطب;تأثير تحميل;تحليل تجميع;شبكة عصبية
以上内容由讯飞翻译自动生成，翻译内容仅供参考。对于因使用本网站翻译内容产生的相关后果，本网站不承担任何商业和法律责任。
The above content is generated by Large Model Translation. The translated content is for reference only. We do not assume any commercial or legal responsibilty for any consequences arising from the use of our website