في عملية تصنيع القطب المشترك لأشباه الموصلات ذات الغشاء الرقيق (Thin film transistor ، TFT)، وجد أن تيار التسرب (I_off) لبعض عينات TFT مرتفع بشكل غير طبيعي. تمر هذه العينات بنفس جهاز نزع الركيزة للضوء الليثوغرافي، مما أدى إلى توقف الجهاز عن الإنتاج والتسبب في خسارة في القدرة الإنتاجية. من المهم تحديد سبب ارتفاع تيار التسرب الناتج عن جهاز النزع هذا وحله لضمان القدرة الإنتاجية والجودة. أولاً، جمعت الدراسة محلول النزع من الجهاز الخاطئ والجهاز الطبيعي وحللت مكوناتهما، ووجدت أن محتوى أيونات الألومنيوم (Al) في محلول الجهاز الخاطئ مرتفع. ثانيًا، وجد أن I_off لـ TFT يرتفع مع زيادة عدد الرقائق المعالجة على الجهاز الخاطئ. السبب هو أن أيونات Al تولد جسيمات Al2O3 في عملية النزع وتلتصق بطبقة تثبيط جهاز TFT مكونة تأثير بوابة طفيلية، مما يؤدي في النهاية إلى زيادة I_off. أخيرًا، تم تطبيق حلول مستخلصة من نظرية حل المشكلات الابتكارية TRIZ وتم اختيار الحلول الأمثل للتحسين والتحقق من صحتها. أظهرت النتائج التجريبية أنه مع ارتفاع تركيز أيونات Al في محلول النزع من 1×10^-8 إلى 2.189×10^-6، ارتفع I_off من 3.56 بيكو أمبير إلى 7.56 بيكو أمبير. عند وجود أيونات Al في محلول النزع وزيادة عدد مرات النزع، يظهر I_off اتجاهًا تصاعديًا. يمكن كبح ارتفاع I_off من خلال زيادة قوة المعالجة البلازمية قبل تكوين طبقة التثبيط وزيادة سمك طبقة التثبيط. بناءً على ذلك، يمكن تحديد أن سبب ارتفاع I_off في جهاز النزع هو تأثير البوابة الطفيلية الناتج عن أيونات Al في محلول النزع، ويمكن كبح هذا التأثير عن طريق تقوية المعالجة قبل تكوين الطبقة وزيادة سمك الطبقة.

أشباه الموصلات ذات الغشاء الرقيق; نزع ركيزة الضوء الليثوغرافي; أيونات الألومنيوم; تأثير البوابة الطفيلية; نظرية حل المشكلات الابتكارية