摘要
لتحسين الأداء الكهربائي للترانزستورات الرقيقة المرنة بشكل فعال، تم استخدام بنية متراكبة تجمع بين نوعين من المواد ذات الثابت العازل العالي على ركيزة بوليميديميد (PI) في ظروف درجة حرارة الغرفة، بدلاً من استخدام طبقة واحدة من Ta2O5 كعازل للبوابة، باستخدام Ta2O5 وHfO2. تم تحضير الأغشية الرقيقة بواسطة طريقة الترسيب المغناطيسي، وتم دراسة تأثير طبقة Ta2O5 في بنية العازل المتراكب على الأداء الكهربائي للجهاز تحت ظروف مختلفة من مدة الترسيب ونسبة الأكسجين إلى الأرجون. كما تم مقارنة أجهزة العازل المتراكبة HfO2/Ta2O5 مع أجهزة العازل الأحادي Ta2O5. أظهرت النتائج أن طبقة العازل Ta2O5 عند مدة ترسيب ساعة واحدة ونسبة أكسجين إلى أرجون 10:90 قدمت أفضل أداء كهربائي للجهاز. أدخلت بنية العازل المتراكب تحسينًا كبيرًا في الأداء الكهربائي للجهاز، مع نسبة تشغيل تيار تبلغ 1.27×10^6، وجهد عتبة 9.1 فولت، وتذبذب تحت العتبة 0.54 فولت/عقدة، وحركة حاملة شحنة بمقدار 7.03 سم²/(فولت·ثانية).
关键词
PI;عازل بوابة متراكب;طريقة الترسيب المغناطيسي;مدة الترسيب;نسبة الأكسجين إلى الأرجون
以上内容由讯飞翻译自动生成，翻译内容仅供参考。对于因使用本网站翻译内容产生的相关后果，本网站不承担任何商业和法律责任。
The above content is generated by Large Model Translation. The translated content is for reference only. We do not assume any commercial or legal responsibilty for any consequences arising from the use of our website