للحصول على مصدر ضوء قائم على السيليكون بكفاءة كمية عالية، تم تحضير مصفوفة من تجاويف دائرية بحجم ميكرومتر على رقاقة سيليكون أحادي البلورية باستخدام ليزر نبضي نانوي، وتمت دراسة أداء العينة بعد المعالجة بالخبز عالي الحرارة. تكونت نقاط كمومية داخل التجاويف تظهر ذروة انبعاث ضوئي محفز قوية بالقرب من الطول الموجي 710 نانومتر. تم خبز العينة عند درجة حرارة 1000 درجة مئوية، ومن خلال التحكم بوقت الخبز ودراسة طيف الانبعاث الضوئي الناتج عن تغير طاقة الإثارة قبل وبعد الخبز، لوحظت تغييرات في الإشعاع التلقائي والمحفز. كما تم قياس شدة الانبعاث الضوئي في مواقع مختلفة داخل التجويف بعد خبز لمدة 20 دقيقة، وتم العثور على أن أقوى انبعاث ضوئي هو على حواف التجاويف، وهو ما قد يكون مرتبطًا بتوزع كثيف لنقاط الكم المضيئة على الحواف. وأخيرًا، تم قياس أقصى كفاءة كمية ضوئية خارجية (PL-EQE) داخل التجاويف باستخدام طريقة المعايرة القياسية لمصابيح LED. أظهرت النتائج أن الكفاءة الكمية الخارجية داخل التجاويف بعد الخبز تصل إلى 9.29%.

نقاط كمومية السيليكون;انبعاث ضوئي محفز;الخبز عالي الحرارة;كفاءة كمية خارجية